BUJ303AX和MJE13007G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUJ303AX MJE13007G BUL138

描述 NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFESTMICROELECTRONICS  BUL138  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 14 MHz -

额定电压(DC) - 400 V 400 V

额定电流 - 8.00 A 5.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 32 W 80 W 80 W

上升时间 - 1.5 µs -

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V 400 V

热阻 - 1.56℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 8A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 10 5 @5A, 5V 8 @2A, 5V

额定功率(Max) - 80 W 80 W

直流电流增益(hFE) 22 4 10

下降时间 - 0.7 µs -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 32 W 80000 mW 80000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 40

长度 10.3 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 15.8 mm 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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