对比图
型号 FDMS7670 STL90N3LLH6 STL65N3LLH5
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0029 Ω 0.0038 Ω 4.8 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 62 W 60 W 60 W
阈值电压 1.9 V 1.7 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 21A 90A 9.50 A
上升时间 6 ns 30 ns 14.5 ns
输入电容(Ciss) 4105pF @15V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 60 W 4 W
下降时间 5 ns 12 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62 W 60W (Tc) 60W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 5 mm 5 mm 4.75 mm
宽度 6 mm 6 mm 5.75 mm
高度 1.05 mm 0.78 mm 0.88 mm
封装 Power-56 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17