对比图
型号 IPI65R190CFDXKSA1 SPI20N60C3 SPI20N60CFD
描述 TO-262 N-CH 650V 17.5A酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS Power Transistor酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 20.7 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 220 mΩ 0.22 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 151W (Tc) 208 W 208 W
输入电容 - 2.40 nF -
栅电荷 - 114 nC -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
漏源击穿电压 - 650 V -
连续漏极电流(Ids) 17.5A 20.7 A 20.7 A
上升时间 8.4 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1850pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 208 W 208 W
下降时间 6.4 ns 6.4 ns 6.4 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
额定功率 151 W - -
耗散功率(Max) 151W (Tc) - -
阈值电压 - - 4 V
长度 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm
宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.5 mm
高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17