DS1270AB-70#和DS1270Y-70#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270AB-70# DS1270Y-70# DS1270AB-100

描述 IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIPNon-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.74INCH, DIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 36 36 -

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz -

存取时间 70 ns 70 ns 100 ns

内存容量 16000000 B 16000000 B -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

工作电压 - 5 V -

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

长度 - - 53.34 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 10.29 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 PB free Contains Lead

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