对比图
型号 CSD23280F3 CSD23285F5 CSD23382F4
描述 CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFETCSD23285F5 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 0.5 W 1.4 W 0.5 W
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 1.8A 5.4A 3.5A
上升时间 4 ns 5 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 180pF @6V(Vds) 483pF @6V(Vds) 235pF @6V(Vds)
下降时间 8 ns 13 ns 41 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 1400 mW 500mW (Ta)
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -