2N7002WT1G和BSS138BKW

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002WT1G BSS138BKW 2N7002K-T1-GE3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷NXP  BSS138BKW  晶体管, MOSFET, N沟道, 320 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.1 VVISHAY  2N7002K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.6 Ω 1 Ω 2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 mW 260 mW 350 mW

阈值电压 1 V 1.1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 340 mA 0.32A 190 mA

输入电容(Ciss) 24.5pF @20V(Vds) 42pF @10V(Vds) 30pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 280 mW 0.31 W 0.35 W

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

上升时间 9 ns - -

额定功率(Max) 280 mW - -

下降时间 29 ns - -

长度 2.2 mm 3 mm 3.04 mm

宽度 1.35 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 0.9 mm 1 mm 1.02 mm

封装 SC-70-3 SOT-323 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Unknown -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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