对比图
型号 FDS6961A IRF9956TRPBF PHN210T,118
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6961A.. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 90 mohm, 10 V, 1.8 VMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.1Ω; ID 3.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20VNXP PHN210T,118 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 20.0 V -
额定电流 3.50 A 3.50 A -
漏源极电阻 0.09 Ω 0.2 Ω 0.08 Ω
极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
产品系列 - IRF9956 -
输入电容 220 pF 190pF @15V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 2.40 A
上升时间 11 ns 8.80 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 250pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
针脚数 8 - 8
阈值电压 1.8 V - 2 V
下降时间 3 ns - 15 ns
耗散功率(Max) 2 W - 2 W
栅电荷 2.10 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.45 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm - 4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -