对比图
型号 FDD6670A FDD6670S STD60N3LH5
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFETSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 66.0 A - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.008 Ω 9.00 mΩ 7.6 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 60 W
阈值电压 1.8 V - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 -55.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 66.0 A 64A 24.0 A
上升时间 12 ns 10 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 1755pF @15V(Vds) - 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W - 60 W
下降时间 19 ns 14 ns 4.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 63W (Tc) - 60W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -