MJD45H11-001和MJD45H11-1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD45H11-001 MJD45H11-1G KSH45H11ITU

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 20 W 20 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 - 90 MHz 40 MHz

耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 60 -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 2.38 mm 2.38 mm 2.3 mm

高度 6.35 mm 6.22 mm 6.1 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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