BC858BLT1G和BC858B,235

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858BLT1G BC858B,235 BC859BLT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC858BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFETO-236AB PNP 30V 0.1A通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 300 mW

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 300 mW

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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