对比图
型号 DS1225AD-200 DS1225AD-70+ BQ4010YMA-150
描述 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.72INCH, EXTENDED, DIP-28非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 EDIP-28 DIP-28 DIP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V
负载电容 5.00 pF - -
时钟频率 200 GHz 70.0 GHz -
存取时间 200 ns 70 ns 150 ns
内存容量 8000 B 64000 B -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
供电电流 - - 50 mA
存取时间(Max) - - 150 ns
电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V
针脚数 - 28 -
长度 39.12 mm - 37.72 mm
宽度 18.29 mm - 18.42 mm
高度 9.4 mm - 9.4 mm
封装 EDIP-28 DIP-28 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - - EAR99