对比图
型号 MJD2955G MJD2955T4G MJD2955
描述 MJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 2 MHz 2 MHz -
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -10.0 A -10.0 A -10.0 A
针脚数 3 3 -
极性 PNP N-Channel, P-Channel PNP
耗散功率 1.75 W 1.75 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 10A 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 2 5 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 100
热阻 6.25℃/W (RθJC) - -
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 2.38 mm 2.38 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -