对比图
型号 STP75NF75 STP80NF10 IRFB3607PBF
描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON IRFB3607PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 100 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
额定功率 - 300 W 140 W
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0095 Ω 0.012 Ω 0.00734 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 300 W 140 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
输入电容 - 5500 pF 3070 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 100 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A
上升时间 25.0 ns 80 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 3070pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 140 W
下降时间 - 60 ns 96 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 140W (Tc)
工作结温(Max) 175 ℃ - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99