MJD112RLG和MJD112TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD112RLG MJD112TF MJD112RL

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorsON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK (TO-252)封装互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

耗散功率 20 W 1.75 W 1750 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 12000 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 2.00 A - 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN - NPN

集电极最大允许电流 2A - 2A

最大电流放大倍数(hFE) 12000 - -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.8 mm -

高度 2.38 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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