MJD112TF

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MJD112TF概述

ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装

复合 NPN ,Fairchild Semiconductor


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
MJD112 Series 100 V 2 A SMT NPN Silicon Darlington Transistor - TO-252-3


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


MJD112TF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.8 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD112TF
型号: MJD112TF
描述:ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装
替代型号MJD112TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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