KSH3055TM和MJD3055T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH3055TM MJD3055T4G MJD3055T4

描述 TRANS NPN 60V 10A DPAKON SEMICONDUCTOR  MJD3055T4G  双极性晶体管STMICROELECTRONICS  MJD3055T4  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 20 W, 10 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 20 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20000 mW

频率 - 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 10.0 A 10.0 A

针脚数 - 4 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 1.75 W 20 W

增益频宽积 - - 2 MHz

集电极击穿电压 - - 70.0 V

最大电流放大倍数(hFE) - - 100

直流电流增益(hFE) - 5 5

集电极最大允许电流 - 10A -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 6.22 mm 6.2 mm

高度 - 2.38 mm 2.4 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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