BUK9230-100B,118和STD25NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9230-100B,118 STD25NF10T4 NTD6414ANT4G

描述 DPAK N-CH 100V 47ASTMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 VON SEMICONDUCTOR  NTD6414ANT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.024 Ω 0.033 Ω 30 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 100 W 100 W

阈值电压 1.5 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 47A 12.5 A 32.0 A

上升时间 86 ns 60 ns 52 ns

输入电容(Ciss) 3805pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 1450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 167 W 100 W 100 W

下降时间 46 ns 15 ns 48 ns

工作温度(Max) 185 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 25.0 A -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 - 2.4 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 185℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 -

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