FDN335N和MGSF2N02ELT1

对比图

型号 FDN335N MGSF2N02ELT1 AO3418

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN335N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV2.8安培， 20伏， N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−2330V,3.8A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 1.70 A 2.80 A -

漏源极电阻 0.055 Ω 85.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 500 mW 1.25 W 1.4 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20.0 V 30 V

漏源击穿电压 -60.0 V 20.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 2.80 A 3.8A

上升时间 8.5 ns 95 ns 1.5 ns

下降时间 3 ns 95 ns 2.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) 310pF @10V(Vds) - 270pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW - 1.4 W

耗散功率(Max) 0.5 W - 1.4W (Ta)

额定功率 500 mW - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 900 mV - -

输入电容 40.0 pF - -

栅电荷 3.50 nC - -

长度 2.92 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)