对比图
型号 IRF8010PBF STP80NF10 STP80NF12
描述 IRF8010PBF 管装N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 120 V
额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 15 mΩ 0.012 Ω 0.013 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 260 W 300 W 300 W
阈值电压 - 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 120 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 120 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 130 ns 80 ns 145 ns
输入电容(Ciss) 3830pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 260 W 300 W 300 W
下降时间 120 ns 60 ns 115 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 260000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)
产品系列 IRF8010 - -
输入电容 3830pF @25V 5500 pF -
额定功率 - 300 W -
长度 10.54 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 8.77 mm 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR