对比图
型号 HUF75333P3 STP60NE06-16 STP80NF55-08
描述 66A ， 55V ， 0.016欧姆。 N沟道UltraFET功率MOSFET 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Power MOSFETsN - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 55.0 V
额定电流 60.0 A 60.0 A 80.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 16 mΩ 16.0 mΩ 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 150W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 66.0 A 60.0 A 80.0 A
上升时间 55 ns 125 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 6200pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W - 300 W
下降时间 25 ns - 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 300 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 16.3 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -