对比图
型号 IRF3805SPBF STB160N75F3 STB150NF55T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 3.3 mΩ - 5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 330 W 300 W
产品系列 IRF3805S - -
输入电容 7960pF @25V - 4400 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 75 V 55 V
漏源击穿电压 55 V - 55 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 60.0 A
输入电容(Ciss) 7960pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 330 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
上升时间 - 65 ns 180 ns
下降时间 - 15 ns 80 ns
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 120 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99