对比图
型号 BCP56-10 BCP56-10T BCP56-10,115
描述 NXP BCP56-10 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFENXP BCP56-10T Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 180MHz, 650mW, 1A, 63 hFE NewNXP BCP56-10,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4
针脚数 4 - 4
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 640 mW 650 mW 640 mW
直流电流增益(hFE) 63 63 63
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
频率 - - 180 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - - 80 V
集电极最大允许电流 - - 1A
最小电流放大倍数(hFE) - - 63 @150mA, 2V
额定功率(Max) - - 960 mW
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 960 mW
封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4
长度 - - 6.7 mm
宽度 - - 3.7 mm
高度 - - 1.7 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 - - Lead Free
工作温度 - - 150℃ (TJ)