BCP56-10和BCP56-10T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-10 BCP56-10T BCP56-10,115

描述 NXP  BCP56-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFENXP BCP56-10T Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 180MHz, 650mW, 1A, 63 hFE NewNXP  BCP56-10,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

针脚数 4 - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 640 mW 650 mW 640 mW

直流电流增益(hFE) 63 63 63

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 - - 180 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - - 80 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 63 @150mA, 2V

额定功率(Max) - - 960 mW

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 960 mW

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - - 1.7 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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