MUN5214DW1T1G和PUMH10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5214DW1T1G PUMH10 UMH9NTN

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5214DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SOT-363NXP  PUMH10  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-363UMH9N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-88

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 70.0 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.385 W 200 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 68 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 250 mW - 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 256 mW 300 mW 150 mW

额定功率 - - 0.15 W

直流电流增益(hFE) - - 68

增益带宽 - - 250 MHz

长度 2.2 mm 2.2 mm 2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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