对比图
型号 STW45N65M5 FCH47N60_F133 FCH47N60F_F133
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60F_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.067 Ω 0.058 Ω 0.062 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 210 W 417 W 417 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 35A 47A 47A
输入电容(Ciss) 3375pF @100V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 417 W 417 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 210W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc)
上升时间 - - 210 ns
下降时间 - - 75 ns
长度 15.75 mm - 15.6 mm
宽度 5.15 mm - 4.7 mm
高度 20.15 mm 20.82 mm 20.6 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -