PBHV8115T和PBHV8118T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBHV8115T PBHV8118T PBHV8115T,215

描述 NXP  PBHV8115T  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,NexperiaNXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

最小电流放大倍数(hFE) 10 100 50 @500mA, 10V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

频率 - - 30 MHz

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 300 mW - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 150 V - 150 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最大电流放大倍数(hFE) - - 100 @50mA, 10V

额定功率(Max) - - 300 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 250

长度 3 mm 3 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1.1 mm 1.1 mm 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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