对比图
型号 STD7N52K3 FDD6N50TM_WS NTE2935
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N50TM_WS 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 500 V, 0.76 ohm, 10 V, 5 VN-CH 500V 6.2A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics
分类 MOS管MOS管分立器件
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
漏源极电阻 0.72 Ω 0.76 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 90 W 89 W -
阈值电压 3.75 V 5 V -
漏源极电压(Vds) 525 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 6A 6A 6.2A
上升时间 11 ns 55 ns -
输入电容(Ciss) 737pF @100V(Vds) 9400pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 90 W 89 W -
下降时间 19 ns 35 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 90W (Tc) 89W (Tc) -
针脚数 - 3 -
长度 6.6 mm - -
宽度 6.2 mm - -
高度 2.4 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -