BC636和BC636TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC636 BC636TA JAN2N697

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-5

额定电压(DC) -45.0 V - -

额定电流 -1.00 A - -

极性 PNP, P-Channel - NPN

耗散功率 1 W 1 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 25 40 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1 W 1 W 600 mW

直流电流增益(hFE) 40 25 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

耗散功率(Max) - 1000 mW 600 mW

长度 5.2 mm 4.58 mm -

宽度 4.19 mm 3.86 mm -

高度 5.33 mm 4.58 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-5

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown Discontinued at Digi-Key

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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