BD13810STU和BD138G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD13810STU BD138G 2N4919G

描述 Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新中功率PNP塑料 Medium-Power Plastic PNP

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -1.50 A -1.50 A 1.00 A

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 1.25 W 12.5 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 30 @500mA, 1V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 30 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 30000 mW

频率 - - 3 MHz

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - 3 3

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

直流电流增益(hFE) - 25 10

高度 11.2 mm - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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