STB14NM65N和STI14NM65N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB14NM65N STI14NM65N STB11NM65N

描述 N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247D2PAK N-CH 650V 12A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 TO-262-3 D2PAK

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 12A 6.00 A 12A

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc) -

上升时间 13 ns - -

输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds) -

下降时间 20 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-262-3 D2PAK

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

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