BSL316C L6327和SI3552DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSL316C L6327 SI3552DV-T1-E3 SI3590DV-T1-GE3

描述 INFINEON  BSL316C L6327  双路场效应管, MOSFET, 互补晶体管, N和P沟道, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 VVISHAY  SI3552DV-T1-E3  场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMDVISHAY  SI3590DV-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-457 TSOP TSOP

通道数 2 - -

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.119 Ω 0.085 Ω 0.062 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 500 mW 1.15 W 830 mW

阈值电压 1.6 V 1 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V ±30.0 V -

输入电容(Ciss) 94pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 1150 mW 830 mW

连续漏极电流(Ids) - 51.0 A 2.00 A

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

热阻 - 130℃/W (RθJA) -

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 1.5 mm - -

高度 1.1 mm 1 mm 1 mm

封装 TSOP-457 TSOP TSOP

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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