BSR57和BSR58,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSR57 BSR58,215 PMBF4391,215

描述 N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。JFET N-CH 40V 0.25W(1/4W) SOT23N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

击穿电压 - - 40.0 V

针脚数 - - 3

漏源极电阻 40 Ω 60 Ω 30 Ω

耗散功率 250 mW 250 mW 250 mW

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V

击穿电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) - - 14pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 20.0 mA - -

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 60.0 mA - -

长度 2.9 mm - 3 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.97 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台