BUK762R0-40E和SQM120N04-1M9-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK762R0-40E SQM120N04-1M9-GE3 SUM110N04-2M1P-E3

描述 D2PAK N-CH 40V 120AVISHAY  SQM120N04-1M9-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  SUM110N04-2M1P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 1.7 mohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263 TO-252-3

安装方式 - - Surface Mount

漏源极电阻 0.00165 Ω 0.0015 Ω 1.7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 293 W 300 W 312 W

阈值电压 3 V 3 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A - 11.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

针脚数 - 3 3

封装 TO-263 TO-263 TO-252-3

产品生命周期 Unknown - -

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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