对比图
型号 MMUN2233LT1 MMUN2233LT1G FJN3314RTA
描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorON SEMICONDUCTOR MMUN2233LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 246 mW 400 mW 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V
额定功率(Max) 246 mW 246 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 - - 250 MHz
耗散功率(Max) - 400 mW 300 mW
最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -
无卤素状态 - Halogen Free -
直流电流增益(hFE) - 80 -
长度 2.9 mm 2.9 mm 5.2 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 4.19 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 5.33 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Box
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99