对比图
型号 STW30NM60N FCA47N60_F109 FDH50N50
描述 N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
引脚数 3 - -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 70 mΩ 105 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 190W (Tc) 417 W 625 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 500 V
漏源击穿电压 - 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 25A 47A 48.0 A
上升时间 24 ns 210 ns 360 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @50V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 6460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 417 W 625 W
下降时间 70 ns 75 ns 230 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 417W (Tc) 625W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 48.0 A
输入电容 - - 4.98 nF
栅电荷 - - 105 nC
长度 - 16.2 mm 15.87 mm
宽度 - 5 mm 4.82 mm
高度 - 20.1 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99