对比图
型号 IRF7807D2PBF STS11N3LLH5 FDS4672A
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 25.0 mΩ 0.0117 Ω 0.01 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.50 W 2.7 W 2.5 W
阈值电压 - 1 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 40 V
输入电容(Ciss) - 724pF @25V(Vds) 4766pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 2.7 W 1.2 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V - 40.0 V
额定电流 8.30 A - 11.0 A
产品系列 IRF7807D2 - -
漏源击穿电压 30.0 V - 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.30 A - 11.0 A
输入电容 - - 4.77 nF
栅电荷 - - 35.0 nC
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
上升时间 - - 9.00 ns
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99