MC100EP11DG和MC100EP11DR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC100EP11DG MC100EP11DR2G SN65LVEP11D

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC100EP11DG  芯片, 差分扇出缓冲器, ECL, SMDON SEMICONDUCTOR  MC100EP11DR2G  芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVEP11D  逻辑芯片, 扇出缓冲器

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 3 GHz 3 GHz 3 GHz

电源电压(DC) 3.00V (min) 3.00V (min) 2.50 V, 3.30 V

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出接口数 2 2 2

供电电流 35 mA 35.0 mA 28.0 mA

电路数 1 1 1

针脚数 8 8 8

最大占空比 50 % 50 % -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V 2.375V ~ 3.8V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 3.8 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 2.375 V

耗散功率 - - 840 mW

耗散功率(Max) - - 840 mW

通道数 1 - -

输入电流 35.0 mA - -

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 5A991.b.1

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