对比图
型号 IRF3707ZSPBF STB95N3LLH6 IRLB8721PBF
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 59A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。INFINEON IRLB8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 59.0 A - -
漏源极电阻 12.5 mΩ 0.0037 Ω 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 57 W 70 W 65 W
产品系列 IRF3707ZS - -
阈值电压 1.8 V 1 V 1.8 V
输入电容 1210pF @15V - 1077 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 59.0 A 80A 62A
上升时间 41.0 ns 91 ns 93 ns
输入电容(Ciss) 1210pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1077pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 57 W - -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
下降时间 - 23.4 ns 17 ns
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 65W (Tc)
额定功率 - - 65 W
针脚数 - - 3
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.67 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 9.02 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
宽度 - 10.4 mm 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -