对比图
型号 STP11NK40ZFP STP4NK60ZFP FQPF11N40C
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 30 W 25 W -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.55 Ω 2 Ω 530 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 25 W 44 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 400 V 600 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 4.00 A 10.5 A
上升时间 20 ns 9.5 ns 89 ns
输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 1090pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 25 W 44 W
下降时间 18 ns 16.5 ns 81 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 25000 mW 44W (Tc)
额定电压(DC) - - 400 V
额定电流 - - 10.5 A
漏源击穿电压 400 V - 400 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.36 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.9 mm
高度 9.3 mm 9.3 mm 16.07 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -