对比图
型号 STS12NF30L STS12NH3LL IRF7413ZTRPBF
描述 STMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 VN沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFETHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 12.0 A 12.0 A -
通道数 1 - -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.008 Ω 8.00 mΩ 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1 V - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±16.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 13A
上升时间 90 ns 32 ns 6.3 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 965pF @25V(Vds) 1210pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W
下降时间 35 ns 8.5 ns 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)
额定功率 - - 2.5 W
输入电容 - - 1210 pF
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.25 mm 1.65 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -