FDS6890A和FDS9933BZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6890A FDS9933BZ IRF8915PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6890A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET2个N沟道 20V 8.9A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 7.50 A - 8.90 A

极性 N-Channel, Dual N-Channel P-CH Dual N-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W 2.00 W

产品系列 - - IRF8915

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 4.9A 8.90 A

上升时间 26 ns 9.3 ns 12.0 ns

输入电容(Ciss) 2130pF @10V(Vds) 985pF @10V(Vds) 540pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.013 Ω - -

阈值电压 800 mV - -

输入电容 2.13 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

下降时间 23 ns 9.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 900 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.75 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -

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