MBT3946DW1T1G和MBT3946DW1T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T2 MBT3946DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-6

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 150 mW 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 40 100 @10mA, 1V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 200 mA - 200 A

漏源击穿电压 - - 40.0 V

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

额定功率(Max) 150 mW - 150 mW

频率 300 MHz - -

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 300 - -

耗散功率(Max) 150 mW - -

长度 2.2 mm 2 mm -

宽度 1.35 mm 1.25 mm -

高度 1 mm 0.9 mm -

封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-6

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

香港进出口证 NLR NLR NLR

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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