对比图
型号 IPB47N10SL-26 IPB47N10SL26ATMA1 SPI47N10L
描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFETInfineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB47N10SL26ATMA1, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装SIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3-1
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 47.0 A
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 175 W 175 W 175W (Tc)
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 135 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 47A 47A 47.0 A
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 175W (Tc) 175W (Tc) 175W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 26 mΩ - -
漏源击穿电压 100 V - -
上升时间 100 ns 100 ns -
下降时间 70 ns 70 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3-1
长度 10 mm 10 mm -
宽度 9.25 mm 9.25 mm -
高度 4.4 mm 4.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not For New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead