IRF3415SPBF和STB35NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3415SPBF STB35NF10T4 STB75NF20

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3415SPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK 新N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 STripFET™,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.042 Ω 0.03 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 115 W 190 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 200 V

漏源击穿电压 150 V 100 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 43.0 A 40.0 A 47.0 A, 75.0 A

上升时间 55.0 ns 60 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 115 W 190 W

下降时间 - 15 ns 29 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 190W (Tc)

额定电压(DC) 150 V 100 V -

额定电流 43.0 A 40.0 A -

产品系列 IRF3415S - -

输入电容 2400pF @25V - -

热阻 0.75℃/W (RθJC) - -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 10.67 mm 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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