对比图
型号 IRF3703PBF STP85N3LH5 STP200NF03
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.3Milliohms; ID 210A; TO-220AB; PD 230W; -55deSTMICROELECTRONICS STP85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 210 A - 120 A
漏源极电阻 3.9 mΩ 0.0046 Ω 0.0032 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 70 W 300 W
产品系列 IRF3703 - -
输入电容 8250pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V - 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 210 A 40.0 A 60.0 A
上升时间 123 ns 14 ns 195 ns
输入电容(Ciss) 8250pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 70 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 - 2.5 V 4 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
下降时间 - 10.8 ns 60 ns
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 300000 mW
针脚数 - 3 -
长度 10.54 mm - 10.4 mm
高度 15.24 mm - 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99