对比图
型号 APT30F50B STW26NM50 STW23NM50N
描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETSTMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 30.0 A 30.0 A -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 415 W 313 W 125 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A -
上升时间 23 ns 15 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 4525pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds)
下降时间 17 ns 19 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 415W (Tc) 313W (Tc) 125W (Tc)
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.12 Ω 0.162 Ω
阈值电压 - 4 V 3 V
额定功率(Max) - 313 W 125 W
漏源击穿电压 - - 500 V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - - 15.75 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 20.15 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99