对比图
型号 STW18NM60N STW45NM50 IXFH26N60Q
描述 STMICROELECTRONICS STW18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.26 Ω 0.1 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 417 W 360 W
阈值电压 3 V 4 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 13A 45.0 A 26.0 A
上升时间 15 ns 107.5 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 417 W 360 W
下降时间 25 ns 87.7 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 417W (Tc) 360W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 600 V
额定电流 - 45.0 A 26.0 A
额定功率 - 390 W 360 W
工作结温(Max) - - 150 ℃
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
宽度 - 5.15 mm 5.3 mm
长度 - 15.75 mm -
高度 - 20.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
重量 - - 6 g
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -