对比图
型号 BCR133SH6433XTMA1 UMH11NTN BCR 133S H6444
描述 SOT-363 NPN 50V 100mANPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6
引脚数 6 6 -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 150 mW 250 mW
额定电压(DC) - 50.0 V -
额定电流 - 50.0 mA -
额定功率 - 0.15 W -
极性 NPN NPN -
耗散功率 250 mW 150 mW -
集电极最大允许电流 100mA 100mA -
直流电流增益(hFE) - 30 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -
增益带宽 130 MHz 250 MHz -
耗散功率(Max) 250 mW 150 mW -
封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6
高度 - 0.9 mm -
产品生命周期 End of Life Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -