对比图
型号 IPP80N06S2L-09 SPP80N06S2L-07 STP80NF55L-08
描述 Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道55V - 0.0065ohm - 80A - TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 210W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80.0 A
上升时间 19 ns 35 ns 145 ns
输入电容(Ciss) 2620pF @25V(Vds) 4210pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 190 W - -
下降时间 18 ns 31 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190 W 210W (Tc) -
漏源极电阻 - - 8.00 mΩ
漏源击穿电压 - - 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
输入电容 - 4.21 nF -
栅电荷 - 130 nC -
长度 10 mm - -
宽度 4.4 mm - -
高度 15.65 mm - -
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -