对比图
型号 DS1225Y-200IND+ DS1225AB-200IND+ DS1225AD-200+
描述 NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8位, 200ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 28 28
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
针脚数 - 28 28
时钟频率 - 200 GHz 200 GHz
存取时间 200 ns 200 ns 200 ns
内存容量 - 64000 B 8000 B
工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V
工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V
供电电流 - - 75 mA
存取时间(Max) - - 200 ns
长度 - 39.12 mm 39.37 mm
宽度 - 18.29 mm 18.8 mm
高度 - 9.4 mm 9.35 mm
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free