对比图
型号 FDS6975 STS4DPF30L SI4943BDY-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6975 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 VSTMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -6.00 A -4.00 A -
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.025 Ω 0.07 Ω 19 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
输入电容 1.54 nF - -
栅电荷 14.5 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) -6.00 A 4.00 A -8.40 A
上升时间 22 ns 35 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1540pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW 2 W 1.1 W
下降时间 18 ns 35 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2000 mW
反向恢复时间 - - 55 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
阈值电压 - 1 V -
漏源击穿电压 - 30 V -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 3.9 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.25 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -